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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對(duì)大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計(jì)量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過(guò)850℃后從焦綠石相中分離出來(lái)，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時(shí)，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時(shí)形成，850℃時(shí)達(dá)到峰值，約950℃時(shí)消失，

反應(yīng)式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢(xún)電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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預(yù)擊穿區(qū)：是指在此區(qū)域內(nèi)，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導(dǎo)電屬于熱激發(fā)電子電導(dǎo)機(jī)理。因此，壓敏電阻器相當(dāng)于一個(gè)10MΩ以上的絕緣電阻，這時(shí)通過(guò)壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級(jí)，可看作為開(kāi)路。該區(qū)域是電路正常運(yùn)行時(shí)壓敏電阻器所處的狀態(tài)。

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ZnO壓敏電阻器是一類(lèi)電阻值與外加電壓成顯著的非線性關(guān)系的半導(dǎo)體陶瓷，其U-I特性關(guān)系式:

                                                           I=(U/C)α

ZnO壓敏電阻器常用的性能參數(shù)有壓敏電壓漏電流、非線性系數(shù)、通流值、能量耐量、限制電壓比等，其中壓敏電壓、漏電流、非線性系數(shù)表示了壓敏電阻器的小電流特性，通流值、能量耐量、限制電壓比則表示的是峰值電流特性。

此外，表征壓敏元件性能參數(shù)還有電壓溫度系數(shù)，固有電容等。

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